Infineon HEXFET IRFS4115TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 195 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 165-8288
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4115TRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFS4115TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 195 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 165-8288
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4115TRLPBF
Marke:: Infineon

IRFS4115PbF N-channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	195 A
Drain-Source-Spannung max.	150 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	12,1 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	375 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.67mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	77 nC @ 10 V
Breite	11.3mm
Transistor-Werkstoff	Si
Diodendurchschlagsspannung	1.3V
Höhe	4.83mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET IRFS4115TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 195 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon

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