Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 269 A 375 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 218-3124
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS7730TRL7PP
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
19,86 €
(ohne MwSt.)
23,635 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 1.095 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,972 € | 19,86 € |
| 25 - 45 | 3,494 € | 17,47 € |
| 50 - 120 | 3,26 € | 16,30 € |
| 125 - 245 | 3,016 € | 15,08 € |
| 250 + | 2,82 € | 14,10 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3124
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS7730TRL7PP
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 269A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 428nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.65mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 269A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 428nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.65mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie mit einem N-Kanal. Integriert mit 7-poligem D2PAK-Gehäuse (TO-263 7-polig).
Bleifrei, RoHS-konform
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 6-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263