Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 269 A 375 W, 7-Pin IRFS7730TRL7PP TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

9,56 €

(ohne MwSt.)

11,375 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1.225 Einheit(en) mit Versand ab 02. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 201,912 €9,56 €
25 - 451,684 €8,42 €
50 - 1201,568 €7,84 €
125 - 2451,452 €7,26 €
250 +1,358 €6,79 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-3124
Herst. Teile-Nr.:
IRFS7730TRL7PP
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

269A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

428nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.83 mm

Länge

10.67mm

Höhe

9.65mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie mit einem N-Kanal. Integriert mit 7-poligem D2PAK-Gehäuse (TO-263 7-polig).

Bleifrei, RoHS-konform

Verwandte Links