Infineon HEXFET IRFS3006TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 293 A 375 W, 7-Pin D2PAK-7

RS Best.-Nr.:: 168-6006
Herst. Teile-Nr.:: IRFS3006TRL7PP
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFS3006TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 293 A 375 W, 7-Pin D2PAK-7

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RS Best.-Nr.:: 168-6006
Herst. Teile-Nr.:: IRFS3006TRL7PP
Marke:: Infineon

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Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	293 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	D2PAK-7
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	7
Drain-Source-Widerstand max.	2,1 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	375 W
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4.83mm
Länge	10.67mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	200 nC @ 20 V
Diodendurchschlagsspannung	1.3V
Höhe	9.65mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C