Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 522 A 375 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 215-2453
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFS8409-7TRL
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
2.422,40 €
(ohne MwSt.)
2.882,40 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 08. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 + | 3,028 € | 2.422,40 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2453
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFS8409-7TRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 522A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 305nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 522A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 305nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon Automotive DirectFET ® Power MOSFET verfügt über eine maximale Ableitquellspannung von 60 V mit einem maximalen Dauerablassstrom von 68 A in einem 7-poligen D2-Pak Gehäuse. Dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für den Einsatz in der Automobilindustrie entwickelt und nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand im par Silizium-Bereich zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieser Designs sind 175 °C Sperrschicht-Betriebstemperatur, schnelle Schaltgeschwindigkeit und Verbesserung der sich wiederholenden Lawineneinstufung. Diese Funktion kombiniert, um dieses Produkt zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und in einer Vielzahl anderer Anwendungen zu machen.
Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Neuer extrem niedriger Einschaltwiderstand
Fast Switching
Wiederholte Lawine bis Tjmax erlaubt
Ohne Leitung
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 7-Pin AUIRFS8409-7TRL TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 6-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 6-Pin IRFS7430TRL7PP TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 7-Pin AUIRFSA8409-7TRL TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin TO-263