Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 343 A 375 W, 3-Pin TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IRLS3034TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

343A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

108nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

9.65mm

Breite

4.83 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V, Infineon


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