Infineon HEXFET IRFS4010TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 168-6012
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4010TRLPBF
Marke:: Infineon

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Infineon HEXFET IRFS4010TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 168-6012
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4010TRLPBF
Marke:: Infineon

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	180 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	4,7 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	375 W
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	143 nC @ 10 V
Länge	10.67mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	9.65mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.3V
Höhe	4.83mm

Infineon HEXFET IRFS4010TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon

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