Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 375 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
168-6012
Herst. Teile-Nr.:
IRFS4010TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

143nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 180A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 375W maximale Verlustleistung - IRFS4010TRLPBF


Dieser Hochleistungs-MOSFET bietet eine starke Leistung für verschiedene Anwendungen, die für moderne elektronische Systeme unerlässlich sind. Der Enhancement-Mode-Betrieb und die fortschrittliche HEXFET-Technologie sorgen für ein effizientes Powermanagement, so dass er sich für Anwendungen eignet, die eine zuverlässige Leistungssteuerung erfordern.

Eigenschaften und Vorteile


• Unterstützt einen kontinuierlichen Ableitstrom von bis zu 180 A für große Lasten

• Maximale Drain-Source-Spannung von 100 V für mehr Flexibilität

• Niedriger Rds(on) von 4,7mΩ minimiert den Leistungsverlust während des Betriebs

• Eine einzige Konfiguration für eine einfachere Integration

• Bewältigt effektiv Temperaturen bis zu +175°C

• Hochgeschwindigkeitsschaltung für effizienten Betrieb

Anwendungsbereich


• Einsatz in der Synchrongleichrichtung für Schaltnetzteile

• Geeignet für unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme

• Angewandt in hart geschalteten und hochfrequenten Schaltungen

• Einsatz in Automatisierungsanlagen, die ein effizientes Energiemanagement benötigen

• Lässt sich gut in verschiedene elektrische und mechanische Projekte integrieren

Wie wirkt sich der Widerstand auf die Leistung bei Hochfrequenzanwendungen aus?


Ein niedriger Rds(on) verringert die Wärmeentwicklung und den Leistungsverlust erheblich und verbessert den Wirkungsgrad von Hochfrequenzstromrichtern.

Welche Gate-Spannung ist für einen optimalen Betrieb erforderlich?


Der Baustein arbeitet effektiv mit einer Gate-Source-Spannung zwischen 2V und 4V, wobei für maximale Effizienz 10V empfohlen werden.

Ist die Installation dieser Komponente einfach?


Ja, dieser oberflächenmontierbare MOSFET ist für die einfache Platzierung auf Leiterplatten konzipiert und ermöglicht eine schnelle und zuverlässige Einrichtung in verschiedenen Geräten.

Kann es das Wärmemanagement effektiv handhaben?


Mit einer maximalen Sperrschichttemperatur von +175°C ist er für den Einsatz in Umgebungen geeignet, die eine solide thermische Leistung erfordern.

Für welche Arten von Schaltkreisen ist dieses Bauteil geeignet?


Er eignet sich ideal für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen, Lasttreiberschaltungen und Power-Management-Systeme in der Automatisierungstechnik und im Elektrobereich.

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