- RS Best.-Nr.:
- 130-1007
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS7730TRLPBF
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
2 - 8 | 2,935 € | 5,87 € |
10 - 18 | 2,79 € | 5,58 € |
20 - 48 | 2,51 € | 5,02 € |
50 - 98 | 2,26 € | 4,52 € |
100 + | 2,145 € | 4,29 € |
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- 130-1007
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS7730TRLPBF
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon
Die Infineon-StrongIRFET-Familie ist optimiert für geringe RDS(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 246 A |
Drain-Source-Spannung max. | 75 V |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Serie | HEXFET |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 2,6 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.7V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2.1V |
Verlustleistung max. | 375 W |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Länge | 10.67mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 271 nC @ 10 V |
Breite | 9.65mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Höhe | 4.83mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
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