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    Infineon HEXFET IRFS7730TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 246 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    130-1007
    Herst. Teile-Nr.:
    IRFS7730TRLPBF
    Marke:
    Infineon

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.246 A
    Drain-Source-Spannung max.75 V
    GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
    SerieHEXFET
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.2,6 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.3.7V
    Gate-Schwellenspannung min.2.1V
    Verlustleistung max.375 W
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Länge10.67mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs271 nC @ 10 V
    Breite9.65mm
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Höhe4.83mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Diodendurchschlagsspannung1.2V

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