Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 195 A 375 W TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*

1.196,80 €

(ohne MwSt.)

1.424,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 06. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
800 +1,496 €1.196,80 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
257-9437
Herst. Teile-Nr.:
IRFS7530TRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

195A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

274nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRFS-Serie von Infineon ist das 60-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Optimiert für 10-V-Gate-Antriebsspannung (sog. Normalpegel)

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Kann wellenförmig gelötet werden

Verwandte Links