Infineon HEXFET IRF1407STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 100 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 907-5179
Herst. Teile-Nr.:: IRF1407STRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF1407STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 100 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Preis pro Stück (In einer VPE à 8)

2,366 €

(ohne MwSt.)

2,816 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
8 - 32	2,366 €	18,928 €
40 - 72	2,13 €	17,04 €
80 - 192	1,988 €	15,904 €
200 - 392	1,846 €	14,768 €
400 +	1,704 €	13,632 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 907-5179
Herst. Teile-Nr.:: IRF1407STRLPBF
Marke:: Infineon

IRF1407SPbF, IRF1407LPbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	75 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	7 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Verlustleistung max.	200 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.67mm
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.83mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	160 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	9.65mm
Diodendurchschlagsspannung	1.3V

Infineon HEXFET IRF1407STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 100 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon

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