Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 100 A 200 W, 3-Pin TO-263

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907-5179
Herst. Teile-Nr.:
IRF1407STRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.65mm

Breite

4.83 mm

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon


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