Infineon HEXFET IRF2807ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 89 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 165-5889
Herst. Teile-Nr.:: IRF2807ZSTRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF2807ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 89 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 800)

1,028 €

(ohne MwSt.)

1,223 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
800 - 800	1,028 €	822,40 €
1600 +	0,976 €	780,80 €

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RS Best.-Nr.:: 165-5889
Herst. Teile-Nr.:: IRF2807ZSTRLPBF
Marke:: Infineon

IRF2807ZPbF, IRF2807ZSPbF, IRF2807ZLPbF,HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	89 A
Drain-Source-Spannung max.	75 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	9,4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	170 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	10.67mm
Breite	9.65mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	71 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.83mm

Infineon HEXFET IRF2807ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 89 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon

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