Infineon HEXFET IRF1407STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 100 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 165-8003
Herst. Teile-Nr.:: IRF1407STRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF1407STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 100 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 800)

1,147 €

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Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
800 - 800	1,147 €	917,60 €
1600 +	1,09 €	872,00 €

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RS Best.-Nr.:: 165-8003
Herst. Teile-Nr.:: IRF1407STRLPBF
Marke:: Infineon

IRF1407SPbF, IRF1407LPbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	75 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	7 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Verlustleistung max.	200 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.83mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	160 nC @ 10 V
Länge	10.67mm
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	9.65mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.3V

Infineon HEXFET IRF1407STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 100 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon

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