Infineon HEXFET IRF3007STRLPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 75 V / 62 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 220-7469
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3007STRLPBF
- Marke:
- Infineon
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 800)
1,008 €
(ohne MwSt.)
1,20 €
(inkl. MwSt.)
Voraussichtlich ab 24.06.2025 verfügbar.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
---|---|---|
800 - 800 | 1,008 € | 806,40 € |
1600 + | 0,958 € | 766,40 € |
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich
- RS Best.-Nr.:
- 220-7469
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3007STRLPBF
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die OptiMOS N-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Infineon wurden zur Steigerung von Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz entwickelt. OptiMOS-Produkte wurden für Hochleistungsanwendungen entwickelt und für hohe Schaltfrequenzen optimiert und überzeugen mit der branchenweit besten Leistungszahl. Das OptiMOS-Leistungs-MOSFET-Portfolio, jetzt ergänzt durch einen starken IRFET, schafft eine wirklich leistungsfähige Kombination. Profitieren Sie von einer perfekten Abstimmung von robusten und ausgezeichneten Preis-/Leistungseigenschaften von starken IRFET-MOSFETs und der besten Technologie von OptiMOS MOSFETs. Beide Produktfamilien erfüllen die höchsten Qualitätsstandards und Leistungsanforderungen. Das gemeinsame Portfolio, das Spannungen von 12 V bis 300 V MOSFETs abdeckt, kann eine Vielzahl von Anforderungen von niedrigen bis hohen Schaltfrequenzen wie SMPS, Batterie-betriebene Anwendungen, Motorsteuerung und Antriebe, Wechselrichter und Computer erfüllen.
Planare Zellstruktur für eine breite SOA
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten
SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard
Hochstrombelastbares Gehäuse (bis zu 195 A, abhängig von der Matrizengröße)
Kann wellengelötet werden
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten
SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard
Hochstrombelastbares Gehäuse (bis zu 195 A, abhängig von der Matrizengröße)
Kann wellengelötet werden
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 62 A |
Drain-Source-Spannung max. | 75 V |
Serie | HEXFET |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,0126 O |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 20V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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