Infineon Einfach HEXFET Typ N, Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 75 V Erweiterung / 355 A 517

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RS Best.-Nr.:
145-8890
Herst. Teile-Nr.:
IRFP7718PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

355A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage, Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

552nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

517W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Lead-Free, RoHS

Länge

15.87mm

Höhe

20.7mm

Breite

5.31 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

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