Infineon HEXFET IRF2807ZPBF N-Kanal Dual, THT MOSFET 75 V / 75 A, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 262-6725
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF2807ZPBF
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (In einer Stange von 1000)
0,791 €
(ohne MwSt.)
0,941 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 0,791 € | 791,00 € |
| 2000 + | 0,752 € | 752,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 262-6725
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF2807ZPBF
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieses Design verfügt über zusätzliche Merkmale wie 175 °C-Betriebstemperatur an der Verbindung, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte wiederholte Lawinenbelastbarkeit.
Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig
Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 75 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 75 V |
| Serie | HEXFET |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Transistor-Werkstoff | Silicon |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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