Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 75 V / 160 A DirectFET

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RS Best.-Nr.:
273-5218
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF7759L2TR
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

160A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

DirectFET

Serie

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MX
Der Leistungs-MOSFET von Infineon wurde für Anwendungen entwickelt, bei denen Effizienz und Leistungsdichte unerlässlich sind. Die fortschrittliche DirectFET-Verpackungsplattform in Kombination mit der neuesten Siliziumtechnologie ermöglicht erhebliche Einsparungen auf dem Systemniveau und Leistungsverbesserungen speziell in Motorantrieb, Hochfrequenz-DC/DC und anderen Schwerlastanwendungen auf ICE-, HEV- und EV-Plattformen. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und ein niedriges Qg pro Siliziumbereich zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses MOSFETs sind hohe sich wiederholende Spitzenstromfähigkeit. Diese Merkmale machen diesen MOSFET zu einem äußerst effizienten, robusten und zuverlässigen Gerät für Hochstromanwendungen in der Automobilindustrie.

RoHS-konform

Zweiseitige Kühlung

Hohe Leistungsdichte

Kfz-Qualifizierung

Geringe parasitäre Parameter

Bleifrei und halogenfrei

Erweiterte Prozesstechnologie

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