Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 75 V / 160 A DirectFET
- RS Best.-Nr.:
- 273-5218
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7759L2TR
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (4000 Stück, auf einer Rolle mit 4000)*
19.296,00 €
(ohne MwSt.)
22.964,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 16. März 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 4,824 € | 19.296,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-5218
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7759L2TR
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 160A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | DirectFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 160A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße DirectFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MX
Der Leistungs-MOSFET von Infineon wurde für Anwendungen entwickelt, bei denen Effizienz und Leistungsdichte unerlässlich sind. Die fortschrittliche DirectFET-Verpackungsplattform in Kombination mit der neuesten Siliziumtechnologie ermöglicht erhebliche Einsparungen auf dem Systemniveau und Leistungsverbesserungen speziell in Motorantrieb, Hochfrequenz-DC/DC und anderen Schwerlastanwendungen auf ICE-, HEV- und EV-Plattformen. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und ein niedriges Qg pro Siliziumbereich zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses MOSFETs sind hohe sich wiederholende Spitzenstromfähigkeit. Diese Merkmale machen diesen MOSFET zu einem äußerst effizienten, robusten und zuverlässigen Gerät für Hochstromanwendungen in der Automobilindustrie.
RoHS-konform
Zweiseitige Kühlung
Hohe Leistungsdichte
Kfz-Qualifizierung
Geringe parasitäre Parameter
Bleifrei und halogenfrei
Erweiterte Prozesstechnologie
Verwandte Links
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 75 V / 160 A DirectFET
- Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -160 A 113 W DirectFET
- Infineon HEXFET N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 40 V / 375 A DirectFET
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 124 A DirectFET
- Infineon DirectFET Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 375 A 125 W, 15-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 217 A 96 W DirectFET
- Infineon HEXFET N-Kanal 7-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET N-Kanal 15-Pin DirectFET