Infineon Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 375 A 125 W, 15-Pin DirectFET
- RS Best.-Nr.:
- 907-5205
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7749L1TRPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 4 Stück)*
11,82 €
(ohne MwSt.)
14,064 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 6.832 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | 2,955 € | 11,82 € |
| 20 - 36 | 2,808 € | 11,23 € |
| 40 - 96 | 2,748 € | 10,99 € |
| 100 - 196 | 2,57 € | 10,28 € |
| 200 + | 2,393 € | 9,57 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 907-5205
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7749L1TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 375A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | DirectFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 15 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 200nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 7.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 9.15mm | |
| Höhe | 0.49mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 375A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße DirectFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 15 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 200nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 7.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 9.15mm | ||
Höhe 0.49mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET DirectFET®, Infineon
Das DirectFET®-Leistungspaket ist eine SMD-Leistungs-MOSFET-Gehäusetechnologie. DirectFET®-MOSFETs ist eine Lösung zur Verringerung von Energieverlusten bei gleichzeitigem Schrumpfen der Design-Abmessungen bei fortschrittlichen Schaltanwendungen.
Geringster Widerstand der Branche des jeweiligen Profils
Extrem geringer Gehäusewiderstand zur Minimierung von Leitungsverlusten.
Die äußerst effiziente zweiseitige Kühlung erhöht Leistungsdichte, Kosten und Zuverlässigkeit.
Flache Bauweise, nur 0,7 mm
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon Typ N-Kanal 15-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 40 V / 375 A DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 40 V / 375 A IRL7472L1TRPBF DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 6-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 9-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 6-Pin AUIRF7640S2TR DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 9-Pin AUIRF7648M2TR DirectFET
- Infineon IPTG Typ N-Kanal 8-Pin HSOG
