Infineon DirectFET, HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 375 A 125 W, 15-Pin DirectFET

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RS Best.-Nr.:
907-5205
Herst. Teile-Nr.:
IRF7749L1TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

375A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

DirectFET, HEXFET

Gehäusegröße

DirectFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

15

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

200nC

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

9.15mm

Höhe

0.49mm

Breite

7.1 mm

Automobilstandard

Nein

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Das DirectFET®-Leistungspaket ist eine SMD-Leistungs-MOSFET-Gehäusetechnologie. DirectFET®-MOSFETs ist eine Lösung zur Verringerung von Energieverlusten bei gleichzeitigem Schrumpfen der Design-Abmessungen bei fortschrittlichen Schaltanwendungen.

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Extrem geringer Gehäusewiderstand zur Minimierung von Leitungsverlusten.

Die äußerst effiziente zweiseitige Kühlung erhöht Leistungsdichte, Kosten und Zuverlässigkeit.

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Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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