Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 81 A 42 W, 2-Pin DirectFET

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222-4739
Herst. Teile-Nr.:
IRF6636TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

81A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

DirectFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

2

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.68mm

Breite

3.95 mm

Länge

4.85mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design der HEXFET ® Power MOSFET-Siliziumtechnologie mit Advanced Direct FETTM-Gehäuse, um den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in einem Gehäuse zu erreichen, das die Abmessungen eines SO-8- und nur 0,7-mm-Profils aufweist. Das DirectFET-Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren verwendet werden, wenn der Anwendungshinweis AN-1035 bezüglich der Herstellungsmethoden und -verfahren befolgt wird.

100 % Rg-geprüfte geringe Induktions- und Schaltverluste

Extrem niedrige Gehäuseinduktivität, ideal für CPU-Kern-DC/DC-Wandler

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