Infineon DirectFET, HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 24 A 41 W, 7-Pin DirectFET SB

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RS Best.-Nr.:
737-7506P
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF7647S2TR1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

24 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Serie

DirectFET, HEXFET

Gehäusegröße

DirectFET SB

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand max.

31 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

41 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

10 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

3.95mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

4.85mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

0.74mm

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