Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 67 A, 15-Pin DirectFET

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*

11.612,00 €

(ohne MwSt.)

13.820,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 4.000 Einheit(en) mit Versand ab 21. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
4000 +2,903 €11.612,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
260-5940
Herst. Teile-Nr.:
IRF7779L2TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

67A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

DirectFET

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

15

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon DirectFET-Leistungs-MOSFET ist für Hochfrequenzschalt- und synchronen Gleichrichteranwendungen optimiert. Die verringerten Gesamtverluste im Gerät in Verbindung mit der hohen thermischen Leistung ermöglichen einen hohen Wirkungsgrad und niedrige Temperaturen, die für Verbesserungen der Systemzuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung sind, und machen dieses Gerät ideal für Hochleistungs-Leistungswandler.

Bleifrei

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Geringe Leitungsverluste

Kompatibel mit zweiseitiger Kühlung

Verwandte Links