Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 67 A, 15-Pin DirectFET
- RS Best.-Nr.:
- 260-5941
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7779L2TRPBF
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 67A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | DirectFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 15 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 67A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße DirectFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 15 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon DirectFET-Leistungs-MOSFET ist für Hochfrequenzschalt- und synchronen Gleichrichteranwendungen optimiert. Die verringerten Gesamtverluste im Gerät in Verbindung mit der hohen thermischen Leistung ermöglichen einen hohen Wirkungsgrad und niedrige Temperaturen, die für Verbesserungen der Systemzuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung sind, und machen dieses Gerät ideal für Hochleistungs-Leistungswandler.
Bleifrei
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Geringe Leitungsverluste
Kompatibel mit zweiseitiger Kühlung
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