Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 28 A 89 W, 2-Pin DirectFET

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RS Best.-Nr.:
218-3101
Herst. Teile-Nr.:
IRF6775MTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

28A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

DirectFET

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

2

Drain-Source-Widerstand Rds max.

56mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

89W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Länge

4.85mm

Breite

3.95 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.68mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 150-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET. Dieser digitale Audio-MOSFET wurde speziell für Klasse-D-Audioverstärkeranwendungen entwickelt. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Die niedrigere Induktivität verbessert die EMI-Leistung, indem sie das Spannungssignal reduziert, das mit schnellen Stromtransienten verbunden ist.

Neueste MOSFET-Siliziumtechnologie

Zweiseitige Kühlung kompatibel

Kompatibel mit vorhandenen SMD-Technologien

Bleifrei

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