- RS Best.-Nr.:
- 168-5958
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6648TRPBF
- Marke:
- Infineon
Voraussichtlich ab 23.12.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 4800)
0,923 €
(ohne MwSt.)
1,098 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
---|---|---|
4800 + | 0,923 € | 4.430,40 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 168-5958
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6648TRPBF
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Leistungs-MOSFET DirectFET®, Infineon
Das DirectFET®-Leistungspaket ist eine SMD-Leistungs-MOSFET-Gehäusetechnologie. DirectFET®-MOSFETs ist eine Lösung zur Verringerung von Energieverlusten bei gleichzeitigem Schrumpfen der Design-Abmessungen bei fortschrittlichen Schaltanwendungen.
Geringster Widerstand der Branche des jeweiligen Profils
Extrem geringer Gehäusewiderstand zur Minimierung von Leitungsverlusten.
Die äußerst effiziente zweiseitige Kühlung erhöht Leistungsdichte, Kosten und Zuverlässigkeit.
Flache Bauweise, nur 0,7 mm
Extrem geringer Gehäusewiderstand zur Minimierung von Leitungsverlusten.
Die äußerst effiziente zweiseitige Kühlung erhöht Leistungsdichte, Kosten und Zuverlässigkeit.
Flache Bauweise, nur 0,7 mm
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 86 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | DirectFET ISOMETRISCH |
Serie | DirectFET, HEXFET |
Montage-Typ | SMD |
Drain-Source-Widerstand max. | 7 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4.9V |
Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
Verlustleistung max. | 89 W |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
Breite | 5.05mm |
Länge | 6.35mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 1.3V |
Höhe | 0.5mm |
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