Infineon DirectFET, HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 86 A 89 W, 4-Pin MN

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 4800 Stück)*

3.825,60 €

(ohne MwSt.)

4.550,40 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 11. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
4800 +0,797 €3.825,60 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
168-5958
Herst. Teile-Nr.:
IRF6648TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

86A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

MN

Serie

DirectFET, HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

89W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.05 mm

Höhe

0.5mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.35mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET DirectFET®, Infineon


Das DirectFET®-Leistungspaket ist eine SMD-Leistungs-MOSFET-Gehäusetechnologie. DirectFET®-MOSFETs ist eine Lösung zur Verringerung von Energieverlusten bei gleichzeitigem Schrumpfen der Design-Abmessungen bei fortschrittlichen Schaltanwendungen.

Geringster Widerstand der Branche des jeweiligen Profils

Extrem geringer Gehäusewiderstand zur Minimierung von Leitungsverlusten.

Die äußerst effiziente zweiseitige Kühlung erhöht Leistungsdichte, Kosten und Zuverlässigkeit.

Flache Bauweise, nur 0,7 mm

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links