Infineon DirectFET, HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 86 A 89 W, 4-Pin MN

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RS Best.-Nr.:
168-5958
Herst. Teile-Nr.:
IRF6648TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

86A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

DirectFET, HEXFET

Gehäusegröße

MN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Maximale Verlustleistung Pd

89W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.35mm

Höhe

0.5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.05 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET DirectFET®, Infineon


Das DirectFET®-Leistungspaket ist eine SMD-Leistungs-MOSFET-Gehäusetechnologie. DirectFET®-MOSFETs ist eine Lösung zur Verringerung von Energieverlusten bei gleichzeitigem Schrumpfen der Design-Abmessungen bei fortschrittlichen Schaltanwendungen.

Geringster Widerstand der Branche des jeweiligen Profils

Extrem geringer Gehäusewiderstand zur Minimierung von Leitungsverlusten.

Die äußerst effiziente zweiseitige Kühlung erhöht Leistungsdichte, Kosten und Zuverlässigkeit.

Flache Bauweise, nur 0,7 mm

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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