Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 150 A 89 W, 2-Pin DirectFET
- RS Best.-Nr.:
- 222-4737
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6620TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- IRF6620TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | DirectFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.68mm | |
| Breite | 5.05 mm | |
| Länge | 6.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße DirectFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 2 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.68mm | ||
Breite 5.05 mm | ||
Länge 6.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design der HEXFET ® Power MOSFET-Siliziumtechnologie mit Advanced Direct FETTM-Gehäuse, um den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in einem Gehäuse zu erreichen, das die Abmessungen eines SO-8- und nur 0,7-mm-Profils aufweist. Das DirectFET-Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren verwendet werden, wenn der Anwendungshinweis AN-1035 bezüglich der Herstellungsmethoden und -verfahren befolgt wird.
100 % Rg-geprüfte geringe Induktions- und Schaltverluste
Extrem niedrige Gehäuseinduktivität, ideal für CPU-Kern-DC/DC-Wandler
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