Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -160 A 113 W DirectFET
- RS Best.-Nr.:
- 257-9332
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9383MTRPBF
- Marke:
- Infineon
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- IRF9383MTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -160A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.8mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 113W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 67nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -160A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 113W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 67nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist ein starkes IRFET-Leistungs-Mosfet mit einem Einfach-P-Kanal von -30 V in einem direkten FET-mx-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Hoher Nennstrom
Zweifachseitige Kühlung
Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm
Gehäuse mit geringer Parasiteninduktivität (1 bis 2 nH)
100 % bleifrei (keine RoHS-Ausnahmeregelung)
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