Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 217 A 96 W DirectFET
- RS Best.-Nr.:
- 257-9314
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7480MTRPBF
- Marke:
- Infineon
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- IRF7480MTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 217A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | DirectFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 123nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 217A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße DirectFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 123nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem direkten FET ME-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern. Zu den Endanwendungen gehören schnurlose Stromversorgungs- und Gartenwerkzeuge, leichte Elektrofahrzeuge und E-Bikes, die ein hohes Maß an Robustheit und Energieeffizienz erfordern.
Zweifachseitige Kühlung
Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm
Gehäuse mit geringer Parasiteninduktivität (1 bis 2 nH)
100 % bleifrei (keine ROHS-Ausnahmeregelung)
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
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