Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 217 A 96 W DirectFET

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RS Best.-Nr.:
257-9313
Herst. Teile-Nr.:
IRF7480MTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

217A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

DirectFET

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

123nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem direkten FET ME-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern. Zu den Endanwendungen gehören schnurlose Stromversorgungs- und Gartenwerkzeuge, leichte Elektrofahrzeuge und E-Bikes, die ein hohes Maß an Robustheit und Energieeffizienz erfordern.

Zweifachseitige Kühlung

Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm

Gehäuse mit geringer Parasiteninduktivität (1 bis 2 nH)

100 % bleifrei (keine ROHS-Ausnahmeregelung)

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

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