Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 224 A TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-3955
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF150P220AKMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 224A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.70mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 224A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.70mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET StrongIRFET ist optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Vertriebspartnern, seine erhöhte Zuverlässigkeit im Vergleich zu Teilen mit einer Nenntemperatur von 150 °C.
Optimierte Qrr
Geringere Überspannung
Geringere Leitungsverluste
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