Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 542-9816
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-84-056
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP9140NPBF
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 23A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 117mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 97nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 20.3mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Breite | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 117mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 97nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 20.3mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Breite 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 23A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 140W maximale Verlustleistung - IRFP9140NPBF
Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für eine effiziente Schaltleistung in verschiedenen Anwendungen ausgelegt. Er eignet sich ideal für die Leistungselektronik, da er einen hohen Dauerableitstrom mit einem geringen Widerstand kombiniert und so eine zuverlässige und präzise Steuerung in Automatisierungs- und elektrischen Systemen in verschiedenen Betriebsumgebungen ermöglicht.
Eigenschaften und Vorteile
• P-Kanal-Konfiguration ermöglicht flexible Schaltungsdesigns
• Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 23 A
• 100 V Drain-Source-Spannung erhöhen die Sicherheit
• Niedriger RDS(on) von 117mΩ reduziert den Leistungsverlust
• Geeignet für Anwendungen im Anreicherungsmodus, die eine stabile Leistung gewährleisten
Anwendungsbereich
• Verwendet bei der Motorsteuerung für mehr Effizienz
• Ideal für Energiemanagementsysteme, die hohe Zuverlässigkeit erfordern
• Gemeinsam in Stromversorgungsschaltungen für robusten Betrieb
• Einsatz in Schaltreglern zur effektiven Leistungsumwandlung
• Geeignet für industrielle Automatisierungssysteme, die zuverlässiges Schalten erfordern
Wie hoch ist die maximale Gate-Schwellenspannung für das Gerät?
Er hat eine maximale Gate-Schwellenspannung von 4 V und eignet sich für verschiedene Schaltungsdesigns.
Wie wirkt sich der RDS(on)-Wert auf die Leistung aus?
Der niedrige RDS(on)-Wert von 117mΩ minimiert die Energieverluste und verbessert die Effizienz und das Wärmemanagement in Anwendungen.
Für welche Arten von Schaltungen ist dieser MOSFET geeignet?
Es eignet sich sowohl für lineare als auch für schaltende Schaltungen und ist somit vielseitig für verschiedene elektronische Anwendungen einsetzbar.
Wie hoch ist die für den Betrieb erforderliche typische Gate-Ladung?
Für eine optimale Leistung benötigt der MOSFET eine typische Gate-Ladung von 97nC bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V.
Welche Auswirkungen hat die maximale Betriebstemperatur?
Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C ist dieses Gerät für Hochtemperaturumgebungen geeignet, was seine Zuverlässigkeit unter schwierigen Bedingungen verbessert.
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