Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 541-1225
- Distrelec-Artikelnummer:
- 303-41-310
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9540NPBF
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 23A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 117mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 97nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.69mm | |
| Länge | 10.54mm | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 117mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 97nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.69mm | ||
Länge 10.54mm | ||
Höhe 8.77mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 23A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 140W maximale Verlustleistung - IRF9540NPBF
Dieser P-Kanal-MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen im Elektronik- und Automatisierungsbereich vorgesehen. Er unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 23 A und eine Drain-Source-Spannung von 100 V, was die Effizienz der Schaltung erhöht. Die Konfiguration im Anreicherungsmodus ermöglicht eine genaue Steuerung des Ausgangs und eignet sich daher für verschiedene Branchen, einschließlich elektrischer und mechanischer Anwendungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Robuste Leistung mit bis zu 23 A Dauerabflussstrom
• Maximale Drain-Source-Spannung von 100 V für konstanten Betrieb
• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand von 117 mΩ optimiert die Energieeffizienz
• Verlustleistung von bis zu 140 W für intensive Anwendungen
• Typische Gate-Ladung von 97 nC bei 10 V unterstützt schnelles Schalten
Anwendungsbereich
• Einsatz in Leistungsmanagement-Schaltungen zur effizienten Energieumwandlung
• Einsatz in Motorsteuerungssystemen zur genauen Drehzahlregelung
• Integriert in Stromversorgungsschaltungen zur Verbesserung der Betriebssicherheit
• Einsatz in verschiedenen Automatisierungssystemen für effektive Kontrollfunktionen
Wie groß ist der Temperaturbereich für eine optimale Leistung?
Der Betriebstemperaturbereich reicht von -55°C bis +175°C und ermöglicht den effektiven Einsatz unter verschiedenen Umgebungsbedingungen.
Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf den Betrieb aus?
Die Gate-Schwellenspannung variiert zwischen 2V und 4V und gewährleistet eine zuverlässige Aktivierung und einen reibungslosen Betrieb als Reaktion auf Steuersignale.
Welche Art der Befestigung ist für den Einbau erforderlich?
Dieser MOSFET ist für die Durchsteckmontage ausgelegt, was die Integration in verschiedene elektronische Baugruppen erleichtert.
Kann dieser MOSFET in Hochfrequenzanwendungen eingesetzt werden?
Ja, er ist aufgrund seiner geringen Gate-Ladung und seiner schnellen Schaltfähigkeit für Hochfrequenz-Schaltanwendungen geeignet.
Welche Bedeutung hat der niedrige Drain-Source-Widerstand?
Der niedrige Drain-Source-Widerstand von 117 mΩ verbessert die Gesamteffizienz durch Minimierung der Energieverluste im Betrieb.
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