- RS Best.-Nr.:
- 165-5778
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1010EZPBF
- Marke:
- Infineon
2400 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer Stange von 50)
0,448 €
(ohne MwSt.)
0,533 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
50 + | 0,448 € | 22,40 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 165-5778
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1010EZPBF
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 84 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | TO-220AB |
Serie | HEXFET |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 8,5 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 140 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
Breite | 4.83mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Länge | 10.67mm |
Höhe | 16.51mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 165-5778
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1010EZPBF
- Marke:
- Infineon
Verwandte Produkte
- Infineon HEXFET IRF1010EPBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET IRF9540NPBF P-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET IRF1010ZPBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET IRL540NPBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET IRFB3607PBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET IRLB8743PBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET IRL7833PBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET IRFB4510PBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB