Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin IRFB3607PBF TO-220

RS Best.-Nr.:: 124-9004
Herst. Teile-Nr.:: IRFB3607PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin IRFB3607PBF TO-220

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RS Best.-Nr.:: 124-9004
Herst. Teile-Nr.:: IRFB3607PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	80A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	75V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	9mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	56nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	140W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	9.02mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4.82 mm
	Länge	10.66mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 75V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 9mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 140W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 9.02mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4.82 mm
	Länge 10.66mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: MX

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