Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
919-5028
Herst. Teile-Nr.:
IRFP9140NPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

117mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

140W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

97nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.9mm

Breite

5.3 mm

Höhe

20.3mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 23A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 140W maximale Verlustleistung - IRFP9140NPBF


Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für eine effiziente Schaltleistung in verschiedenen Anwendungen ausgelegt. Er eignet sich ideal für die Leistungselektronik, da er einen hohen Dauerableitstrom mit einem geringen Widerstand kombiniert und so eine zuverlässige und präzise Steuerung in Automatisierungs- und elektrischen Systemen in verschiedenen Betriebsumgebungen ermöglicht.

Eigenschaften und Vorteile


• P-Kanal-Konfiguration ermöglicht flexible Schaltungsdesigns

• Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 23 A

• 100 V Drain-Source-Spannung erhöhen die Sicherheit

• Niedriger RDS(on) von 117mΩ reduziert den Leistungsverlust

• Geeignet für Anwendungen im Anreicherungsmodus, die eine stabile Leistung gewährleisten

Anwendungsbereich


• Verwendet bei der Motorsteuerung für mehr Effizienz

• Ideal für Energiemanagementsysteme, die hohe Zuverlässigkeit erfordern

• Gemeinsam in Stromversorgungsschaltungen für robusten Betrieb

• Einsatz in Schaltreglern zur effektiven Leistungsumwandlung

• Geeignet für industrielle Automatisierungssysteme, die zuverlässiges Schalten erfordern

Wie hoch ist die maximale Gate-Schwellenspannung für das Gerät?


Er hat eine maximale Gate-Schwellenspannung von 4 V und eignet sich für verschiedene Schaltungsdesigns.

Wie wirkt sich der RDS(on)-Wert auf die Leistung aus?


Der niedrige RDS(on)-Wert von 117mΩ minimiert die Energieverluste und verbessert die Effizienz und das Wärmemanagement in Anwendungen.

Für welche Arten von Schaltungen ist dieser MOSFET geeignet?


Es eignet sich sowohl für lineare als auch für schaltende Schaltungen und ist somit vielseitig für verschiedene elektronische Anwendungen einsetzbar.

Wie hoch ist die für den Betrieb erforderliche typische Gate-Ladung?


Für eine optimale Leistung benötigt der MOSFET eine typische Gate-Ladung von 97nC bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V.

Welche Auswirkungen hat die maximale Betriebstemperatur?


Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C ist dieses Gerät für Hochtemperaturumgebungen geeignet, was seine Zuverlässigkeit unter schwierigen Bedingungen verbessert.

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