Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,3 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 725-9369
Herst. Teile-Nr.:: IRLML9303TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,3 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23

Preis pro Stück (In einer VPE à 20)**

0,058 €

(ohne MwSt.)

0,069 €

(inkl. MwSt.)

5340 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Stück	Pro Stück	Pro Packung**
20 +	0,058 €	1,16 €

**Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 725-9369
Herst. Teile-Nr.:: IRLML9303TRPBF
Marke:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	2,3 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	165 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
Verlustleistung max.	1,25 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	1.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	2 nC @ 4,5 V
Länge	3.04mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.02mm

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,3 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

Verwandte Produkte