Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.2 A 1.25 W, 3-Pin IRLML2060TRPBF SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
IRLML2060TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

480mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.67nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.25W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.4 mm

Höhe

1.02mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.04mm

Automobilstandard

Nein

Distrelec Product Id

304-45-313

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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