Infineon HEXFET IRLML2060TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,2 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 725-9357
Herst. Teile-Nr.:: IRLML2060TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRLML2060TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,2 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 725-9357
Herst. Teile-Nr.:: IRLML2060TRPBF
Marke:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	1,2 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	480 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	1,25 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–16 V, +16 V
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	0,67 nC @ 4,5 V
Breite	1.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	3.04mm
Höhe	1.02mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon HEXFET IRLML2060TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,2 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon

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