Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.2 A 540 mW, 3-Pin IRLML2803TRPBF SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 302-022
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML2803TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- IRLML2803TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 250mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 540mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.3nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-36-995 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 250mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 540mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.3nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Distrelec Product Id 304-36-995 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 1,2A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 540 mW maximale Verlustleistung - IRLML2803TRPBF
Dieser N-Kanal-MOSFET bietet verbesserte Leistung und Zuverlässigkeit für eine Reihe von elektronischen Anwendungen. Er wurde mit der Hexfet-Technologie entwickelt und arbeitet effizient in oberflächenmontierten Konfigurationen, wodurch er sich für kompakte Designs in der Automatisierungs- und Elektrobranche eignet. Die Kombination aus niedrigem RDS(on) und einem hohen kontinuierlichen Drainstrom unterstützt ein optimales Energiemanagement unter verschiedenen Bedingungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Unterstützt einen maximalen Dauerstrom von 1,2 A für effektive Leistung
• Die hohe maximale Drain-Source-Spannung von 30 V ermöglicht einen vielseitigen Einsatz
• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand von 250 mΩ minimiert Leistungsverluste
• Enhancement-Mode-Betrieb ermöglicht effiziente Schaltfunktionen
• Kompaktes SOT-23-Gehäuse ist ideal für Anwendungen mit begrenztem Platzangebot
• Funktioniert bei hohen Temperaturen, mit einer maximalen Betriebstemperatur von +150°C
Anwendungsbereich
• Einsatz in DC-DC-Wandlern für effektives Energiemanagement
• Einsatz in Motorsteuerungsschaltungen zur Verbesserung der Präzision
• Geeignet für das Schalten von Stromversorgungen in der Unterhaltungselektronik
• Integriert in Automatisierungssysteme für effizientes Lastmanagement
Was ist die optimale Gate-Spannung für den Betrieb?
Die optimale Gate-Spannung für diesen Baustein liegt bei +10 V, was ein effizientes Schalten und eine gute Leistung ermöglicht.
Wie verhält sie sich bei hohen Temperaturen?
Dieses Bauteil kann bei Temperaturen von bis zu +150°C arbeiten und gewährleistet Zuverlässigkeit unter thermischen Bedingungen.
Kann er gepulste Ableitströme verarbeiten?
Ja, er unterstützt gepulste Ableitströme, die deutlich über den Dauerleistungen liegen, und kann kurze Stromstöße aufnehmen.
Welche Befestigungsart wird für dieses Gerät empfohlen?
Die Oberflächenmontage ist der empfohlene Typ, da er eine bessere thermische Leistung und Platzersparnis bei der Schaltungsentwicklung bietet.
Welche Vorsichtsmaßnahmen sind bei der Installation zu treffen?
Ein angemessenes Wärmemanagement und die Einhaltung der maximalen Nennwerte sind notwendig, um Schäden während des Betriebs zu vermeiden.
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