Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 540 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 827-0027
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS670S2LH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 250 Stück)*
40,25 €
(ohne MwSt.)
48,00 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 1500 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- 10.250 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 250 - 250 | 0,161 € | 40,25 € |
| 500 - 1000 | 0,082 € | 20,50 € |
| 1250 - 2250 | 0,078 € | 19,50 € |
| 2500 - 6000 | 0,071 € | 17,75 € |
| 6250 + | 0,066 € | 16,50 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 827-0027
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS670S2LH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 540mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 825mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 360mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 540mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 825mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 360mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.3 mm | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™ Leistungs-MOSFET-Produktfamilie
optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.
N-Kanal - Anreicherungstyp
Kfz AEC Q101 zugelassen
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
grünen Paket (bleifrei)
Extrem niedriger RDS(on)
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN53D0L Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN61D9U Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex 2N7002 Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23