Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23

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304-45-298
Herst. Teile-Nr.:
2N7002H6327XTSA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.4nC

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.9mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Breite

1.3 mm

Automobilstandard

Nein

OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon


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