Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 250 Stück)*

24,50 €

(ohne MwSt.)

29,25 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 10.250 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
250 - 2500,098 €24,50 €
500 - 10000,066 €16,50 €
1250 - 22500,062 €15,50 €
2500 - 60000,059 €14,75 €
6250 +0,054 €13,50 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
827-0109
Herst. Teile-Nr.:
BSS806NEH6327XTSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

OptiMOS 2

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

82mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.7nC

Durchlassspannung Vf

0.82V

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.9mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.3 mm

Höhe

1mm

Distrelec Product Id

304-44-429

Automobilstandard

AEC-Q101

Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS™2


Die Infineon-OptiMOS™-2-N-Kanalproduktfamilie bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand innerhalb ihrer Spannungsgruppe. Die Power MOSFET-Serien können in vielen Anwendungen verwendet werden, etwa Hochfrequenztelekommunikation, Datenkommunikation, Solarbereich, Niederspannungsantriebe sowie Servernetzteile. Die OptiMOS 2-Produktfamilie ist ab 20 V erhältlich und bietet eine Auswahl von verschiedenen Gehäusearten.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links