Infineon OptiMOS 2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 827-0109
Distrelec-Artikelnummer:: 304-44-429
Herst. Teile-Nr.:: BSS806NEH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 827-0109
Distrelec-Artikelnummer:: 304-44-429
Herst. Teile-Nr.:: BSS806NEH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	2.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	SOT-23
	Serie	OptiMOS 2
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	82mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	500mW
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	1.7nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	0.82V
	Gate-Source-spannung max Vgs	-8, +8V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1mm
	Länge	2.9mm
	Breite	1.3mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße SOT-23
	Serie OptiMOS 2
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 82mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 500mW
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.7nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 0.82V
	Gate-Source-spannung max Vgs -8, +8V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1mm
	Länge 2.9mm
	Breite 1.3mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Infineon OptiMOS 2 Serie MOSFET, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 2,3 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSS806NEH6327XTSA1

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät mit kleinen Signalen, das für Oberflächenmontageanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine kompakte Schaltleistung erforderlich ist. Er eignet sich für den Einsatz in Niederspannungsstufen und Steuerkreisen über einen breiten Temperaturbereich und bietet Funktionen, die sowohl Unterhaltungselektronik- als auch Automobilelektronikumgebungen unterstützen.

Merkmale und Vorteile:

• Niedriger Einschaltwiderstand von 82 mΩ reduziert Leitungsverluste und Wärme
• Die Nennleistung von 20 V Drain-Source ermöglicht sicheres Schalten bei Niederspannung
• 2,3 A Dauerstrom unterstützt moderate Lastströme
• 1,7 nC Gate-Ladung ermöglicht schnelle Gate-Drive-Übergänge
• Die Verlustleistung von 500 mW begrenzt die thermische Belastung in engen Umgebungen
• Gate-Toleranz von bis zu 8 V für flexible Antriebsspannungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Batteriemanagement- und Stromverteilungsmodule
• Ideal für DC/DC-Wandler in kompakten Baugruppen
• Wird mit Mikrocontroller-Ausgängen für das Schalten von Niederspannungen verwendet
• Kann für Lastschaltvorgänge in der Automobilelektronik verwendet werden
• Wird zur Steuerung der Signalstrom in eingebetteten Systemen verwendet

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?

Er wird in einem SOT-23-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konzipiert ist, um Platz auf der Leiterplatte zu sparen und die automatisierte Platzierung zu vereinfachen.

Welchen Temperaturbedingungen kann es während des Betriebs standhalten?

Er arbeitet über einen breiten thermischen Bereich von -55 °C bis 150 °C, um rauen Umgebungen und hohen Sperrschichttemperaturen standzuhalten.

Wie viele Stifte sind verfügbar und wie ist der Kanaltyp?

Es gibt drei Pins, und das Gerät verwendet einen N-Kanal-Leitungspfad, der im Enhancement-Modus konfiguriert ist.

Was ist die typische Charakteristik der Vorwärts-/Bulk-Diode?

Das Gerät weist eine Durchlassspannung von 0,82 V über seine intrinsische Diode unter typischen Leitungsbedingungen auf.