Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.3 A 500 mW, 3-Pin BSS806NEH6327XTSA1 SOT-23

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RS Best.-Nr.:
165-5871
Herst. Teile-Nr.:
BSS806NEH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

OptiMOS 2

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

82mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Durchlassspannung Vf

0.82V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.7nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.3 mm

Länge

2.9mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS™2


Die Infineon-OptiMOS™-2-N-Kanalproduktfamilie bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand innerhalb ihrer Spannungsgruppe. Die Power MOSFET-Serien können in vielen Anwendungen verwendet werden, etwa Hochfrequenztelekommunikation, Datenkommunikation, Solarbereich, Niederspannungsantriebe sowie Servernetzteile. Die OptiMOS 2-Produktfamilie ist ab 20 V erhältlich und bietet eine Auswahl von verschiedenen Gehäusearten.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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