Infineon OptiMOS 2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.4 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 826-9412
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS316NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 250 - 250 | 0,164 € | 41,00 € |
| 500 - 1000 | 0,155 € | 38,75 € |
| 1250 - 2250 | 0,109 € | 27,25 € |
| 2500 + | 0,104 € | 26,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS 2 Serie MOSFET, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,4 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSS316NH6327XTSA1
Dieser N-Kanal-MOSFET ist ein SMD-Schalttransistor, der für das Niederspannungs-Leistungsmanagement in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Gerät, das für Schalt- und Steuerungsaufgaben in Automobil- und Industrieumgebungen geeignet ist, mit einer Gate-Source-Nennspannung, die robuste Antriebsmargen für typische Steuerschaltkreise ermöglicht.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand sorgt für effiziente Leitfähigkeit und reduzierte Verluste
• 30 V Drain-Source-Nennleistung unterstützt gängige Niederspannungssysteme
• Die Dauerstrombelastbarkeit von 1,4 A bewältigt moderate Lasten
• Die typische Gate-Ladung von 0,6 nC ermöglicht schnelle Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 500 mW eignet sich für enge thermische Budgets
• Die AEC-Q101-Qualifizierung bietet Zuverlässigkeitskriterien auf Automobilniveau
• 30 V Drain-Source-Nennleistung unterstützt gängige Niederspannungssysteme
• Die Dauerstrombelastbarkeit von 1,4 A bewältigt moderate Lasten
• Die typische Gate-Ladung von 0,6 nC ermöglicht schnelle Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 500 mW eignet sich für enge thermische Budgets
• Die AEC-Q101-Qualifizierung bietet Zuverlässigkeitskriterien auf Automobilniveau
Anwendungsbereiche
• Geeignet für das Schalten von Niederspannungslasten in Kraftfahrzeugen
• Ideal für die Point-of-Load-Umwandlung in kompakter Elektronik
• Verwendung mit batteriebetriebenen Systemen, die einen kleinen Formfaktor erfordern
• Kann für die Gate-Steuerung von Motorantrieben in kleinen Betätigungselementen verwendet werden
• Geeignet für das Energiemanagement auf stark belegten Boards
• Ideal für die Point-of-Load-Umwandlung in kompakter Elektronik
• Verwendung mit batteriebetriebenen Systemen, die einen kleinen Formfaktor erfordern
• Kann für die Gate-Steuerung von Motorantrieben in kleinen Betätigungselementen verwendet werden
• Geeignet für das Energiemanagement auf stark belegten Boards
Welchem Temperaturbereich kann er während des Betriebs standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht so den Einsatz in Umgebungen mit breiten Temperaturen.
Wie viele elektrische Verbindungen bietet es an der Platine?
Es verwendet eine Drei-Pin-Konfiguration, die mit Standard-SOT-23-Muster für die Oberflächenmontage kompatibel ist.
Welche maximale Spannung sollte zwischen Gate und Quelle angelegt werden?
Die Gate-to-Source-Nennspannung beträgt 20 V, was die sichere maximale Gate-Drive-Amplitude definiert.
Welche Aspekte der Gehäusehöhe und der Grundfläche wirken sich auf das Layout aus?
Das Gehäuse hat ein flaches Profil mit einer Höhe von 0,9 mm und eine rechteckige Grundfläche von 2,9 x 1,3 mm für kompakte Leiterplatten-Designs.
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