Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.2 A 540 mW, 3-Pin IRLML2402TRPBF SOT-23

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304-36-994
Herst. Teile-Nr.:
IRLML2402TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

250mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

540mW

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.4 mm

Höhe

1.02mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 25 V, Infineon


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