Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.2 A 540 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
919-4731
Herst. Teile-Nr.:
IRLML2402TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

250mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

540mW

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.6nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.02mm

Breite

1.4 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 25 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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