Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 725-9366
Herst. Teile-Nr.:: IRLML9301TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:: IRLML9301TRPBF
Marke:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	3,6 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SOT-23
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	64 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
Verlustleistung max.	1,3 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	4,8 nC @ 4,5 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	1.4mm
Länge	3.04mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	1.02mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23

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P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

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