Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.6 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 725-9350
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-45-311
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML0100TRPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
2,08 €
(ohne MwSt.)
2,48 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 30 Einheit(en) versandfertig
- Zusätzlich 340 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 11.300 Einheit(en) mit Versand ab 02. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,208 € | 2,08 € |
| 100 - 240 | 0,198 € | 1,98 € |
| 250 - 490 | 0,193 € | 1,93 € |
| 500 - 990 | 0,119 € | 1,19 € |
| 1000 + | 0,106 € | 1,06 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 725-9350
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-45-311
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML0100TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 235mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 235mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.02mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23