Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.6 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
913-4054
Herst. Teile-Nr.:
IRLML0100TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

235mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.3W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.5nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-16V, +16V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.02mm

Breite

1.4mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.04mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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