Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 737-7225
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-45-318
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML6344TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 37mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -12V, +12V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 37mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -12V, +12V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 5A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 30V maximale Drain-Source-Spannung - IRLML6344TRPBF
Bei diesem MOSFET handelt es sich um einen leistungsstarken N-Kanal-Baustein für die Oberflächenmontage, der sich für verschiedene Anwendungen in der Elektronik- und Automatisierungsbranche eignet. Das kompakte SOT-23-Gehäuse misst 3,04 mm in der Länge, 1,4 mm in der Breite und 1,02 mm in der Höhe. Mit einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C weist es eine hervorragende thermische Leistung auf.
Eigenschaften und Vorteile
• Bietet einen kontinuierlichen Drainstrom von 5 A für eine robuste Leistung
• Maximale Drain-Source-Spannung von 30 V unterstützt verschiedene Anforderungen
• Niedriger RDS(on) von 29mΩ bei VGS = 4,5V reduziert Leistungsverluste
• Breiter Gate-Schwellenspannungsbereich ermöglicht flexiblen Betrieb
• Effiziente Verlustleistung von 1,3 W erhöht die Zuverlässigkeit
Anwendungen
• Ideal für Mikrocontroller-Lastschaltungen in elektronischen Systemen
• Einsatz in Power-Management-Lösungen für die Automobilindustrie
• Wirksam in DC-DC-Wandlern für effiziente Energieumwandlung
• Geeignet für Batteriemanagementsysteme zur Verbesserung der Leistung
• Wirksam in Motorregelkreisen für Automatisierungsaufgaben
Welche Bedeutung hat der niedrige RDS(on)-Wert?
Der niedrige RDS(on)-Wert deutet auf geringere Leitungsverluste hin, was sich in einem besseren Wirkungsgrad niederschlägt, insbesondere bei Hochstromanwendungen. Diese Eigenschaft ist entscheidend für die Verringerung der Wärmeentwicklung in der Leistungselektronik.
Welcher Spannungsbereich kann an den Gate-Source-Übergang angelegt werden?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt ±12 V, was Flexibilität bei den Ansteuerungsbedingungen ermöglicht und gleichzeitig die Integrität des Bauelements innerhalb der Nenngrenzen gewährleistet.
Wie verhält sich das Gerät bei hohen Temperaturen?
Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +150°C ist der MOSFET für den Einsatz in rauen Umgebungen ausgelegt und gewährleistet zuverlässige Funktionalität in anspruchsvollen Anwendungen.
Welche Vorteile bietet das oberflächenmontierte Design?
Das oberflächenmontierbare SOT-23-Design ermöglicht kompakte Schaltungslayouts und verbessert das Wärmemanagement, wodurch es sich ideal für moderne elektronische Baugruppen eignet.