Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
913-4073
Herst. Teile-Nr.:
IRLML6344TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

37mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.3W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.02mm

Länge

3.04mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 5A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 30V maximale Drain-Source-Spannung - IRLML6344TRPBF


Bei diesem MOSFET handelt es sich um einen leistungsstarken N-Kanal-Baustein für die Oberflächenmontage, der sich für verschiedene Anwendungen in der Elektronik- und Automatisierungsbranche eignet. Das kompakte SOT-23-Gehäuse misst 3,04 mm in der Länge, 1,4 mm in der Breite und 1,02 mm in der Höhe. Mit einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C weist es eine hervorragende thermische Leistung auf.

Eigenschaften und Vorteile


• Bietet einen kontinuierlichen Drainstrom von 5 A für eine robuste Leistung

• Maximale Drain-Source-Spannung von 30 V unterstützt verschiedene Anforderungen

• Niedriger RDS(on) von 29mΩ bei VGS = 4,5V reduziert Leistungsverluste

• Breiter Gate-Schwellenspannungsbereich ermöglicht flexiblen Betrieb

• Effiziente Verlustleistung von 1,3 W erhöht die Zuverlässigkeit

Anwendungen


• Ideal für Mikrocontroller-Lastschaltungen in elektronischen Systemen

• Einsatz in Power-Management-Lösungen für die Automobilindustrie

• Wirksam in DC-DC-Wandlern für effiziente Energieumwandlung

• Geeignet für Batteriemanagementsysteme zur Verbesserung der Leistung

• Wirksam in Motorregelkreisen für Automatisierungsaufgaben

Welche Bedeutung hat der niedrige RDS(on)-Wert?


Der niedrige RDS(on)-Wert deutet auf geringere Leitungsverluste hin, was sich in einem besseren Wirkungsgrad niederschlägt, insbesondere bei Hochstromanwendungen. Diese Eigenschaft ist entscheidend für die Verringerung der Wärmeentwicklung in der Leistungselektronik.

Welcher Spannungsbereich kann an den Gate-Source-Übergang angelegt werden?


Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt ±12 V, was Flexibilität bei den Ansteuerungsbedingungen ermöglicht und gleichzeitig die Integrität des Bauelements innerhalb der Nenngrenzen gewährleistet.

Wie verhält sich das Gerät bei hohen Temperaturen?


Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +150°C ist der MOSFET für den Einsatz in rauen Umgebungen ausgelegt und gewährleistet zuverlässige Funktionalität in anspruchsvollen Anwendungen.

Welche Vorteile bietet das oberflächenmontierte Design?


Das oberflächenmontierbare SOT-23-Design ermöglicht kompakte Schaltungslayouts und verbessert das Wärmemanagement, wodurch es sich ideal für moderne elektronische Baugruppen eignet.

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