Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.4 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
913-4070
Herst. Teile-Nr.:
IRLML6346TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.3W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.9nC

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.4 mm

Höhe

1.02mm

Länge

3.04mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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