Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
919-4886
Herst. Teile-Nr.:
IRF9540NPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

117mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

97nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

140W

Durchlassspannung Vf

-1.6V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.54mm

Breite

4.69 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

8.77mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 23A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 140W maximale Verlustleistung - IRF9540NPBF


Dieser P-Kanal-MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen im Elektronik- und Automatisierungsbereich vorgesehen. Er unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 23 A und eine Drain-Source-Spannung von 100 V, was die Effizienz der Schaltung erhöht. Die Konfiguration im Anreicherungsmodus ermöglicht eine genaue Steuerung des Ausgangs und eignet sich daher für verschiedene Branchen, einschließlich elektrischer und mechanischer Anwendungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Robuste Leistung mit bis zu 23 A Dauerabflussstrom

• Maximale Drain-Source-Spannung von 100 V für konstanten Betrieb

• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand von 117 mΩ optimiert die Energieeffizienz

• Verlustleistung von bis zu 140 W für intensive Anwendungen

• Typische Gate-Ladung von 97 nC bei 10 V unterstützt schnelles Schalten

Anwendungsbereich


• Einsatz in Leistungsmanagement-Schaltungen zur effizienten Energieumwandlung

• Einsatz in Motorsteuerungssystemen zur genauen Drehzahlregelung

• Integriert in Stromversorgungsschaltungen zur Verbesserung der Betriebssicherheit

• Einsatz in verschiedenen Automatisierungssystemen für effektive Kontrollfunktionen

Wie groß ist der Temperaturbereich für eine optimale Leistung?


Der Betriebstemperaturbereich reicht von -55°C bis +175°C und ermöglicht den effektiven Einsatz unter verschiedenen Umgebungsbedingungen.

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf den Betrieb aus?


Die Gate-Schwellenspannung variiert zwischen 2V und 4V und gewährleistet eine zuverlässige Aktivierung und einen reibungslosen Betrieb als Reaktion auf Steuersignale.

Welche Art der Befestigung ist für den Einbau erforderlich?


Dieser MOSFET ist für die Durchsteckmontage ausgelegt, was die Integration in verschiedene elektronische Baugruppen erleichtert.

Kann dieser MOSFET in Hochfrequenzanwendungen eingesetzt werden?


Ja, er ist aufgrund seiner geringen Gate-Ladung und seiner schnellen Schaltfähigkeit für Hochfrequenz-Schaltanwendungen geeignet.

Welche Bedeutung hat der niedrige Drain-Source-Widerstand?


Der niedrige Drain-Source-Widerstand von 117 mΩ verbessert die Gesamteffizienz durch Minimierung der Energieverluste im Betrieb.

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