Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 83 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 124-9007
Herst. Teile-Nr.:: IRFB4228PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 83 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:: 124-9007
Herst. Teile-Nr.:: IRFB4228PBF
Marke:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	83 A
Drain-Source-Spannung max.	150 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	15 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	330 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	72 nC @ 10 V
Höhe	8.77mm
Betriebstemperatur min.	–40 °C

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 83 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon

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